無錫新潔能股份有限公司推出85～150V Super Trench MOSFET系列產品，采用了具有電荷平衡功能的屏蔽柵深溝槽（Shield Gate Deep Trench）技術，具有極低的特征導通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg），在大功率電動車控制器、電動工具電源等行業，具有較好的溫度特性和可靠性表現。

相比市場上普通溝槽型MOSFET，新潔能Super Trench MOSFET導通電阻Rdson降低了約37%，品質因子FOM(Rdson*Qg)降低了約45%。在與國外知名公司產品的對比中，新潔能Super Trench MOSFET在導通電阻Rdson、品質因子FOM、UIS等關鍵參數上，具有較強的競爭力。

Super Trench技術貢獻了更優的導通電阻溫度特性，有效控制了MOSFET導通電阻隨溫度增加而上升的幅度。以100V產品為例，器件175℃下的導通電阻倍增因子（Rdson@Tc=175℃/ Rdson@Tc=25℃）僅2.09，同比普通溝槽型MOSFET（導通電阻倍增因子2.29）降低了8.7%。換言之，在同樣的高溫嚴酷環境下，新潔能Super Trench MOSFET的電流能力更大，抗沖擊能力更強，實現了高速、平穩、高效的電源管理。

此外，新潔能Super Trench MOSFET具備快速柔軟恢復的體二極管特性，壓制了同步整流中的電壓尖峰，提高了器件在AC/DC電源的同步整流中的開關速度；且較低的Crss/Ciss增強了器件的抗EMI能力。這些優勢使得器件應用在交流/直流電源的同步整流、直流電機驅動、電池充電器和電池保護電路、逆變器、36~96V系統中的馬達控制、隔離的直流-直流轉換器、不間斷電源等領域，相比于普通溝槽性MOSFET, 有顯著的性能優勢。

目前， 85V、100V、150V Super Trench MOSFET產品已實現穩定量產，有TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN5*6等多種封裝形式可供選擇，產品符合RoHS標準。

（來源：新潔能）