美國加州時間2024年6月18日，SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預測報告》World Fab Forecast中宣布，為了跟上芯片需求持續增長的步伐，全球半導體制造產能預計將在2024年增長6%，并在2025年實現7%的增長，達到每月晶圓產能3370萬片（wpm, wafers per month）的歷史新高（以8英寸當量計算）。

5納米及以下節點的產能預計在2024年將增長13%，主要受數據中心訓練、推理和前沿設備的生成式人工智能（AI）的驅動。為了提高處理效率，包括英特爾、三星和臺積電在內的芯片制造商準備開始生產2nm GAA（Gate All Around）芯片，在2025年將總的先進產能增長率提高17%。

SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示：“從云計算到邊緣設備，AI算力需求的激增正在推動高性能芯片的開發，并推動全球半導體制造能力的強勁擴張。這創造了一個良性循環：人工智能將推動半導體在各種應用中的增長，這反過來又鼓勵了進一步的投資。”

從地區分布來看，中國芯片制造商預計將保持兩位數的產能增長，在2024年增長15%至885萬（wpm）后，2025年將增長14%至1010萬（wpm），幾乎占行業總產能的三分之一。盡管存在潛在風險，中國仍在繼續積極投資擴產，部分原因是為了減輕最近出口管制的影響。包括華虹集團、晶合集成、芯恩、中芯國際和長鑫存儲在內的主要廠商正在大力投資以提高產能。

預計到2025年，大部分其他主要芯片制造地區的產能增長率將不超過5%。預計2025年中國臺灣地區的產能將以580萬（wpm）的速度位居第二，增長率為4%，而韓國預計2025年將位居第三，在2024年首次突破500萬（wpm）的大關后，產能將增長7%至540萬（wpm）。預計日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導體產能將分別增長至470萬（wpm）（3% YoY）、320萬（wpm）(5% YoY)、270萬（wpm）(4% YoY)和180萬（wpm）(4% YoY)。

按業務領域劃分，得益于英特爾建立foundry業務和中國產能擴張，2024年foundry領域的產能預計將增長11%，2025年將增長10%，到2026年將達到1270萬（wpm）。

快速采用高帶寬存儲器（HBM）來滿足人工智能服務器對更快處理器的日益增長的需求，正在推動存儲器行業前所未有的產能增長。人工智能推動了對密度更大的HBM堆棧的需求不斷增加。領先的DRAM制造商正在增加對HBM/DRAM的投資。預計2024年和2025年DRAM產能都將增長9%。相比之下，3D NAND市場的復蘇仍然緩慢，2024年的產能預計不會增長，2025年預計會增長5%。

邊緣設備中人工智能應用需求的增長預計將使主流智能手機的DRAM內存從8GB增加到12GB，而使用人工智能助手的筆記本電腦將至少需要16GB的DRAM。人工智能向邊緣設備的擴展也將刺激對DRAM的需求。

（來源：SEMI/JSSIA整理）