瑞薩電子宣布，已于2024年6月20日完成對氮化鎵（GaN）功率半導體全球Transphorm的收購。

2024年1月11日，瑞薩電子與氮化鎵（GaN）功率半導體廠商Transphorm達成最終協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股。該交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。

瑞薩電子高級副總裁兼電源總經理Chris Allexandre表示：“通過集成兩家公司技術的交鑰匙參考設計，客戶可以立即從新的GaN產品中受益。將GaN添加到產品組合中，也加強了我們致力于開發讓人們的生活更輕松的產品和技術的承諾。提供節能、降低成本和最大限度減少環境影響的強大且可持續的電源解決方案正是實現這一目標的途徑。”

在完成收購Transphorm的同一天，瑞薩推出了15款全新成功產品組合，這些可立即投入市場的參考設計將新的GaN產品與瑞薩的嵌入式處理、電源、連接和模擬產品相結合。其中包括將Transphorm的汽車級GaN技術，用于車載電池充電器以及電動汽車的三合一動力系統解決方案。

Transphorm成立于2007年，總部位于美國加利福尼亞州戈利塔，源自加州大學圣巴巴拉分校和寬緊帶行業，以獨特的技術創新為基礎，設計、制造和銷售高性能、高可靠性的GaN電源產品，廣泛適用于各種高壓電源轉換應用。

（JSSIA整理）