英飛凌宣布開發出12英寸GaN晶圓技術
9月11日,英飛凌宣布,成功開發出300mm氮化鎵(GaN)功率半導體晶圓技術,希望滿足高能耗人工智能(AI)數據中心和電動汽車中使用的功率半導體快速增長的需求。
英飛凌電源與傳感器系統總裁Adam White表示,首批樣品將于2025年第四季度向客戶提供。
2023年10月,英飛凌成功收購GaN Systems后,促進了英飛凌在氮化鎵技術上的不斷突破和創新,相關的產品系列迅速實現了廣泛的擴展。
英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫(Villach)的功率半導體晶圓廠中,利用現有300mm硅生產設備的整合試產線,成功地生產出300mm GaN晶圓。英飛凌正通過現有的300mm硅和200mm GaN的成熟產能發揮其優勢,同時還將根據市場需求進一步擴大GaN產能。
(JSSIA整理)