鎵仁半導體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底
9月11日,杭州鎵仁半導體有限公司(簡稱“鎵仁半導體”)宣布,公司于8月在氧化鎵襯底加工技術上取得突破性進展,成功研制超薄6英寸襯底,襯底厚度小于200微米。
鎵仁半導體指出,氧化鎵(β-Ga2O3)具有禁帶寬度大、擊穿場強高、Baliga品質因數大等優勢,在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面具有巨大的應用潛力,能夠極大地降低器件工作時的電能損耗。但是,氧化鎵熱導率較低,會加重器件的自熱效應,大量熱量積累在器件內部,會導致器件性能退化,使其在高功率領域的應用受到極大的限制。減薄襯底厚度,能夠使器件產生的熱量通過襯底散出,增強器件的散熱能力,提高器件性能。超薄6英寸襯底為高性能器件的制備提供了一種新選擇,滿足功率器件領域的科研與生產需求。
鎵仁半導體成立于2022年9月,專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發、生產和銷售。今年8月6日,杭州鎵仁半導體有限公司Pre-A輪融資及戰略合作簽約,由九智資本領投,普華資本共同投資。
(JSSIA整理)